• 设为首页
  • 加入收藏
  • 站点地图
  • 手机版
  • 正在加载数据...
您现在的位置:首页>政务公开>政务动态>省网推荐> 正文

湖南省制造业创新中心揭牌

文章来源:湖南省政府网 作者: 发布时间:2018年11月07日 字号:【小】 【大】

  11月6日,湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟(以下简称“IGBT联盟”)第四届国际学术论坛在株洲举行。中国科学院院士陈星弼、中国工程院院士丁荣军、中国工程院院士汤广福等国内外专家、IGBT产业链上下游企业代表近300人参会。当天,湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。

  IGBT,即绝缘栅双极型晶体管,是一种新型功率半导体器件的主流器件,已广泛应用于工业、计算机、航空航天、国防军工、轨道交通、新能源汽车等产业。我国于2014年成立IGBT联盟,旨在整合国内IGBT领域资源,推动我国电力电子技术,特别是IGBT技术与产业化发展。

  本届论坛上,陈星弼、汤广福两位院士和行业专家代表,从国际技术水平、IGBT产业发展机遇与挑战、IGBT在不同应用领域等方面展开学术交流,共同探讨全球IGBT技术与产业发展趋势,谋划进一步推动我国IGBT技术创新及产业化对策。

  据介绍,我省正加快发展IGBT等新兴优势产业链。当天,湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。该中心致力于打造国家级创新平台,将展开功率半导体产业技术研发及产品开发,面向行业联盟与产业链上下游提供设计、检测等技术服务,开展国际交流和合作等。

  (文/邓晶琎 易永彤)

【打印文章】 【添加收藏】

相关阅读

    没有关键字相关信息!